我國高度重視智能傳感器產業(yè)發(fā)展，工業(yè)和信息化部編制了“智能傳感器產業(yè)三年行動指南（2017～2019 年）”，為把握新一代信息技術深度調整戰(zhàn)略機遇期，提升智能傳感器產業(yè)核心競爭力奠定了基礎。
2019年，在工信部指導下，中國電子技術標準化研究院開展了智能傳感器發(fā)展戰(zhàn)略研究，對我國智能傳感器產業(yè)進行了摸底調查，調研的傳感器產品涉及我國近千家傳感器主流廠商，是目前我國規(guī)模較大、較深入的智能傳感器產業(yè)調研活動之一。
此次調研形成了《智能傳感器型譜體系與發(fā)展戰(zhàn)略白皮書》報告，成為我國智能傳感器產業(yè)戰(zhàn)略制定的重要參考依據(jù)之一。報告中，提出了我國智能傳感器產業(yè)需要重點發(fā)展的11個技術方向和建議，這也是我國傳感器的部分重點卡脖子技術，我們來看看哪些傳感器技術被重點提及。
雖然3年時間過去，但對于極其考驗技術沉淀，需要厚積薄發(fā)的傳感器產業(yè)來說，這11個重點技術我國突破有限，仍需努力！
1、MEMS 技術與 IC 技術的集成與融合
MEMS 技術用微加工技術將各種產品整合到基于硅的微電子芯片上，與傳統(tǒng)的 IC 工藝有許多相似之處，如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學機械拋光等，有些復雜微結構難以用 IC 工藝實現(xiàn)，須采用微加工技術，如硅的體微加工技術、表面微加工技術等。
MEMS技術將是未來傳感器的主要制造技術，但國內本土MEMS發(fā)展面臨高端研發(fā)人員缺失、產業(yè)鏈尚未形成、企業(yè)盈利難等問題，如同三座大山壓著國內MEMS產業(yè)。
MEMS最初用于汽車安全氣囊，近年來隨著技術發(fā)展，市場需求迅猛，將如同計算機技術和微電子技術給人們生活帶來的改變一樣，MEMS技術也將給我們的生活帶來巨大改變。
2、MEMS 陀螺芯片
MEMS陀螺儀是半導體行業(yè)的基礎元件，在消費電子、工業(yè)等領域用途廣泛，技術門檻處于傳感器領域較高水平，國內外各廠商投入力度大，但高端產品研發(fā)工作主要集中在高校和科研院所。
歐美日都有一批相關的企業(yè)和科研單位在這領域取得突破性進展，但中國這方面起步晚、發(fā)展慢，國內具備 MEMS 陀螺芯片自主設計和量產的能力的企業(yè)屈指可數(shù)，且產量和市場占有率都非常低。
據(jù)《中國傳感器（技術和產業(yè)）發(fā)展藍皮書》介紹，國內眾多消費電子廠商大量使用的 MEMS 陀螺芯片基本依靠進口，保守估計MEMS芯片進口率達80%以上。
3、高性能磁傳感器
高性能磁傳感器技術門檻高，市場廣、應用范圍大，在工業(yè)自動化控制，醫(yī)療設備以及汽車工業(yè)等領域均存在巨大需求，每年全球銷售逾數(shù)十億顆，金額達百億美元。
以傳統(tǒng)燃油汽車為例，每輛車上平均安裝 30 余個磁傳感器，涵蓋曲軸、電路、踏板、液面、卡扣等近 20 種應用。而在智能自動駕駛汽車上，這些傳感器的應用將更多、更細致。
然而目前中國市場銷售的車輛，磁傳感器全部被國外廠家壟斷，嚴重依賴進口， 霍尼韋爾（Honeywell）、村田（MURATA）、精量電子（MEAS） 、羅姆（ROHM）等國外廠商瓜分了這一市場。
精密制造、勘探、電力、儀器設備等工控領域使用的高端磁傳感器同樣被國際傳感器巨頭把控，對我國產業(yè)升級和自主化進程埋下巨大隱患。
國內磁傳感器制造領域研發(fā)基礎非常薄弱，設備、人才積累有限，產品性能、良品率、成本、生產流程等等方面都亟待優(yōu)化和提高。
同時，國內市場也應該扶持國內磁傳感器廠商，產業(yè)鏈范圍內對自主產品的市場進行培育及推廣。
4、MEMS 微型超聲波傳感器
MEMS 微型超聲波傳感器在消費電子領域有著廣闊的應用場景，例如小米、OPPO等手機廠商近期密集推出的“無邊框”手機，為了在窄窄的邊框塞入用于息屏功能的感應傳感器，MEMS 微型超聲波傳感器是最佳的成熟應用方式。
MEMS 微型超聲波測距傳感器工作原理與普通傳感器傳感器一樣，通過發(fā)射接收超聲波，探測物體距離，但體積非常小，有利于集成，在智能手機、智能終端、智能家居家電、智能辦公設備等使用場景廣闊。
MEMS 微型超聲波測距傳感器體積不到目前同類產品的 1/10，產品實現(xiàn)需要達到耐高溫貼裝工藝要求，且在微型壓電芯片加工工藝、微型裝配工藝、 （MEMS）工藝壓電材料開發(fā)等方面有較高技術難點。
目前市場上，該技術主要被日本企業(yè)村田壟斷，國內沒有具備設計和量產能力的企業(yè)。
5、寬溫區(qū)硅壓力傳感器芯片
壓力傳感器一直以來都是傳感器領域里面出貨量、使用量最大的類型之一，尤其是寬溫區(qū)硅壓力傳感器和芯片，這也是我國與世界先進水平差距比較大的方向。
從具體技術參數(shù)指標上來說，使用溫度范圍在－55℃～225℃之間，精度優(yōu)于 0.25%FS 的高可靠性 MEMS 高溫硅壓力傳感器是亟需突破的重點。
同時，低應力無引線封裝、溫度補償、高溫專用電路（ASIC）芯片等關鍵技術，開發(fā)測控接口電路，是實現(xiàn)批量化生產并在重大技術裝備中應用的關鍵。
